Вие сте тук

Нов силициев чип може да предостави супер бърза памет

120518132549-large.jpg

http://science.icnhost.net/migrate/sites/default/files/field/image/120518132549-large.jpgПървия чисто силициев базиран на оксиди чип RAM памет – отварящ възможности за нови супер бързи памети –  направен от учени от Университетски Колеж Лондон (University College London).
Новите RAM памет чипове или ReRAM са базирани  на материали, повечето от които са оксиди на метали, чието електрическо съпротивление  се променя, когато се вкарат в пусната мрежа – и те „запомнят“ тези промени, дори когато електричеството се изключи.
ReRAM чиповете обещават значително по-голям обем на паметта от колкото сегашните технологии – Flash памети използвани на USB – както и изискват по-малко енергия и място.
Екипът от Лондон са направили нова структура изградена от силициев оксид, описана в скорошно издание на Journal of Applied Physics, която изпълнява промяната в съпротивлението много по-ефикасно от колкото досега е било постигано. В техния материал, подредбата на силициеви атоми се променя за да оформи нишки от силиций намиращи се в твърд силициев оксид, който е с по-малко съпротивление. Присъствието или липсата на тези нишки  представлява промяната на съпротивлението.

http://www.sciencedaily.com/

Специално предложение:

Коментари

коментара

Related posts

By continuing to use the site, you agree to the use of cookies. more information

The cookie settings on this website are set to "allow cookies" to give you the best browsing experience possible. If you continue to use this website without changing your cookie settings or you click "Accept" below then you are consenting to this.

Close